TF1200-PECVD型 等离子增强化学气相沉积系统
- 公司名称 广州市博迅实验仪器有限公司
- 品牌
- 型号 TF1200-PECVD型
- 产地 上海
- 厂商性质 经销商
- 更新时间 2018/11/6 16:44:58
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| 产地类别 | 国产 |
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TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) 等离子体增强化学气相沉积法
等离子增强化学气相沉积系统
设备介绍：
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离， 在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
产品 简介 ：
此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。 并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好 ， 对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要 组成系统及 特点：
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主 要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、*性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
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开启式真空管式炉技术参数 |
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石英管尺寸 |
L1400mm *（ 根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选 。） |
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加热元件 |
掺钼铁铬铝合金电阻丝 |
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测温元件 |
K型热电偶 |
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加热区长度 |
400mm |
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恒温区长度 |
200mm |
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工作温度 |
≤1100℃ |
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控温模式 |
模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 |
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控温精度 |
±1℃ |
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升温速率 |
≤20℃/min |
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电功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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质量供气系统技术参数（根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。） |
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外形尺寸 |
600x600x6 0 0mm |
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标准量程 |
50sccm（CH4 ）、 200sccm（H2）、500sccm（Ar 、 N2 ） ； |
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数显压力表测量范围 |
-0.1Mpa～0.15Mpa |
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极限压力 |
3MPa |
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针阀 |
316不锈钢 |
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截止阀 |
Φ6mm 316不锈钢针阀 |
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电功率 |
AC220V/50HZ/20W |
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响应时间 |
气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
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准确度 |
±1.5% |
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线性 |
±0.5～1.5% |
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重复精度 |
±0.2% |
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接口 |
Φ6,1/4'' |
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真空系统技术参数（根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1（极限真空0.1Pa），GZK10-3（极限真空0.001Pa），以及进口高真空机组（极限真空0.0001Pa）供选择。） |
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外型尺寸 |
600×600×600mm |
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工作电电压 |
220V±10% 50~60HZ |
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功率 |
400W |
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抽气速率 |
4Ls |
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极限真空 |
4X10-2Pa |
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实验真空度 |
1.0X10-1Pa |
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容油量 |
1.1L |
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进气口口径 |
KF25 |
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排气口口径 |
KF25 |
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转速 |
1450rpm |
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射频电源（根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射频电源供选择） |
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信号频率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率输出范围 |
5-300W 5W-500W 可选 |
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最大反射功率 |
200W |
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射频输出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率稳定度 |
±0.1% |
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谐波分量 |
≤-50dbc |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
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整机效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷却方式 |
强制风冷 |
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艾科迅部分客户（CVD及PECVD及管式炉系列）
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等离子增强化学气相沉积系统 常见PECVD系统组合 1. 1200度60滑轨式微型管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，300W射频电源 |
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TF1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 |
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2. 1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
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TF1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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3. 1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
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TF1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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4. 1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
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TF1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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5. 1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
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TF1200-60S，MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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科研单位
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山东通用光伏能源有限公司 |
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日照华轩新能源有限公司 |
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