PHI nanoTOF 3+ 飞行时间质谱仪

特征

良好的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能 力，更加出色的分析精度

飞行时间二次离子质谱仪

较新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率

适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析

D特的离子束技术

平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析

多功能选配附件

TRIFT分析器适用于各种形状的样品

宽带通能量+宽立体接收角度

宽带通能量、宽立体接受角-适用于 各种形貌样品分析

主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。

实现高精度分析的一次离子枪

良好的离子束技术 实现更高质量分辨

PHI nanoTOF3⁺ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析 ：在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500 nm ；在高 空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合高强度离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低 噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 ；在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。

前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料

PHI nanoTOF3⁺搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指。定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据

标配自动化传样系统

PHI nanoTOF3⁺配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：最大样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可 以实现对大量样品的全自动连续测试。

采用新开发的脉冲氲离子枪获得 zhuan利的自动荷电双束中和技术

TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3⁺ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可 实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中 和，无需额外的人为操作。

 ·需要选配Ar离子qiang

远程访问实现远程控制仪器

PHI nanoTOF3⁺允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室，就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断

*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。

从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成

标配离子枪FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3⁺中， 液态金属离子qiang/

具备FIB功能， 可以使用单个离子枪对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。

通过平行成像MS/MS进行分子结构分析[选配]

MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据（Z利）

TOF- SIMS分析

在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。

PHI nanoTOF3⁺具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以 同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解 析提供了强有力的工具。