原子层沉积ALD

PICOSUN™P-300BV 原子层沉积ALD系统已经成为高产能ALD制 造业的新标准。拥有的热壁、*独立的 前驱体管路和特殊的载气设计， 确保我们可  以生产出具有优异的成品率、低颗粒水平和  电学和光学性能的高质量ALD薄膜。  高效紧凑的设计使得维护更加方便、快捷， 最 大限度的减少了系统的维护停工期和使用成  本。拥有技术的Picoflow™使得在超高深 宽比结构上沉积保形性薄膜更高效， 并已在  生产线上得到验证。

PICOSUN™P-300BV系统代表了工业 化ALD工艺水平。这个系统是为半自动化的批 量生产而设计。设备本身针对快速批量生产  进行了优化，并允许通过SECS/GEM整合到自 动化生产线上。拥有加热选项的真空加载系 统可以对敏感的基底进行洁净加工并沉积金 属氮化物薄膜。

PICOSUN™ P-300BV是创新驱动行业的选 ALD系统！

衬底尺寸和类型

•   200mm晶圆 25片/批次（标准间距）

•    150mm 晶圆 50片/批次（标准间距）

•    100mm 晶圆 75片/批次（标准间距）

•    非标准晶圆类基底（使用定制夹具）

工艺温度

•    50 – 450°C

标准工艺

•   批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各种金属

•    同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片装载

•    立式半自动装载（一或两个cassette位置）

•    装载室加热功能可选

前驱体

•    液态、固态、气态、臭氧源

•    源瓶余量传感器， 提供清洗和装源服务

•     4根独立源管线， 最多加载8个前驱体源