ZG 高速SOI光电探测器芯片
参考价 | ¥ 9999 |
订货量 | ≥1件 |
- 公司名称 四川梓冠光电科技有限公司
- 品牌 梓冠
- 型号 ZG
- 产地 经开区电子制造产业园16栋3楼
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2025/5/10 14:53:34
- 访问次数 1610
联系方式:陈经理 17308159058 查看联系方式
联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息,谢谢!
延迟线、光开关、光衰减器、光纤激光器、光源、光纤放大器、光探测器、WDM准直器、光隔离器、环形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、单纤/双纤准直器、激光准直器、光纤反射镜、光纤旋转器、偏振控制器(三环、挤压式)、光栅、波分复用器(CWDM/DWDM)等
SOI芯片光电探测器阵列-混频光电探测器阵列
SOI芯片式光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列 特性
-
多通道
-
高集成度芯片化
-
大模拟带宽
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列 应用领域
-
光纤传感
-
光纤通信
-
激光雷达
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列 规格参数
参数指标 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
波长范围 |
nm |
1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm |
||
暗电流 |
nA |
|
|
30@-1V, |
3dB 模拟带宽 |
GHz |
|
|
30@-2V |
光饱和功率 |
mW |
10 |
|
|
响应度 |
A/W |
0.8 |
|
|
90度光学混频器损耗 |
dB |
6 | 6.5 | 6.7 |
90度光学混频器相位失衡度 |
° |
5 |
|
|
通道数 |
|
1,2,3,4,5 或可定制 |
||
光纤接入损耗 |
dB |
≤1.5 |
||
偏振相关损耗 |
dB |
≤0.5 |
||
工作温度范围 |
℃ |
-20 |
|
50 |
工作湿度范围 |
% |
|
|
+65 |
芯片尺寸 |
mm |
阵列式光电探测器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 阵列式混频探测器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混频探测器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H) |
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列芯片尺寸
四川梓冠光电
SOI芯片光电探测器阵列订货信息
ZG |
波长
|
通道数
|
类型
|
13=1310nm 15=1550nm |
1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other |
1=光电探测器 1=PD 2=混频器 2=Mixer XX=other |