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PULSION 离子注入机/法国IBS

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上海麦科威半导体技术有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家专业的微纳材料、半导体和微电子材料及器件研发仪器及设备的供应商,所销售的仪器设备广泛用于高校、研究所、以及半导体和微电子领域的高科技企业。目前总部在上海,香港、南通、深圳、北京分别设立分公司和办事处,快速响应客户需求。同时上海麦科威在快速扩展海外市场,并设立新加坡分公司,辐射东南亚市场。

上海麦科威半导体技术有限公司主要销售产品包括:  - 霍尔效应测试仪;  - 快速退火炉;  - 回流焊炉,共晶炉,钎焊炉,真空烧结炉;  - 电子束蒸发镀膜机,热蒸发镀膜机;  - 探针台,低温探针台,微探针台;  - 金刚石划片机; - 球焊机,锲焊机;  - 磁控溅射镀膜机;  - 原子层沉积系统,等离子增强原子层沉积设备;  - 电化学C-V剖面浓度分析仪(ECV Profiler); - 扫描开尔文探针系统; - 光学膜厚仪; -贴片机-PECVD\CVD;-脉冲激光沉积系统-PLD-纳米压印;-等离子清洗机、去胶机;-反应离子刻蚀RIE; - 光刻机、无掩膜光刻机; - 匀胶机; - 热板,烤胶板; -少子寿命、太阳能模拟器;-NMR-瞬态能谱仪-外延沉积-等离子清洗机-离子注入-划片机、裂片机光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机  等等…

企业客户: 华为技术有限公司, 深圳市鹏芯微集成电路制造, 深圳清力技术, 安徽格恩半导体, 苏州稀晶半导体科技, 矽品半导体, 厦门海辰新能源科科, 中核同创(成都)科技, 洛玛瑞芯片技术(常州),伟创力科技, 奥普科星河北科技,广东五星太阳能,广东万和集团,西安西测股份, 普源精电科技, 普源精电科技股份, 上海蔚来汽车, 北京华脉泰科, 广医东金湾高景太阳能科技, 深圳汇佳成电子, 深圳市化讯半导体材料, 珠海珍迎机电, 合肥鼎材科技, 山东金晶节能玻璃, 江苏云意电气股份, 广东风华技股份, 浙江中能合控股集团,固安维信诺,淮安天合光能,浙江老鹰半导体, 四川信通电子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大学, 汕头大学, 南方医科大学, 清华大学, 北京大学, 复旦大学, 西北工业大学, 南京医科大学, 香港中文大学, 香港城市大学, 苏州大学, 深圳职业技术学院, 南京大学合肥国家试验室, 上海交通大学医学院, 华南理工大学,华东师范大学,江南大学,重庆26所, 深圳大学, 南方科技大学, 深圳技术大学, 理化技术研究所, 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院, 桂林电子科技大学, 上海硅酸盐研究所, 中国航天五院, 中科合肥智慧农业协同创新研究院 等。

半导体设备,快速退火炉,原子层沉积,键合机,光刻机

一、公司介绍

法国IBS公司(IBS INFORMATION)成立于1987年,一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务,并不断升级和提高在该领域的技术水平。

创始人是来自技术专家,在其带领下,整个技术团队对技术更新的热忱与努力,严谨低调的作风保证了设备的高质量和稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。

二、IMC 200离子注入机技术指标

应用:主要用于半导体微电子衬底材料掺杂,晶圆上注入B、P、As等元素,并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

注入晶圆尺寸:6英寸,兼容2-5英寸、不规则小片,最小可注入1cm2的样品。

注入能量范围:20-200KeV;可升级到最小3KeV或二价/三价离子,注入能量400/600Kev;

注入角度:0°、7°,可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°

注入剂量范围:1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均匀性:片间1o<1.0%(注入条件:1000A氧化层,11B,注入能量100KeV,注入剂量1xE14 at/cm2);

真空度:离子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

离子源真空系统初真空泵为化学干泵,高真空泵为涡轮分子泵;束流管及终端真空系统初真空泵为干泵,高真空泵为冷泵。

注入束流:11B单价离子:>600μA;

31P单价离子:>1500μA;

75As单价离子:>1500μA。

(注入条件:6英寸晶圆,注入能量120KeV-200KeV)。

气路系统:含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2,所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。

软件功能:包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。

三、PULSION离子注入机技术指标

优势:3D浸没式离子注入,不受形状、大小、表面状态限制;可靠性高,气体消耗量低,易于维护,成本低;的脉冲等离子体配置和偏振技术,所需能量低,电流输入输出能力高,工艺稳定性高,可以实现保形处理;能够以较小的占地面积处理大型部件;工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关,即使要求的注入量非常高;可按照用户要求定制;有全自动、工程和手动模式,工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺;工艺可编辑,参数可监测、控制和记录,可查看报警历史。

原理:把要处理的部件放在真空室中的夹具上,并浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时,开始注入。

应用:改善表面机械性能,减少磨损、摩擦力和金属疲劳;提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能;改变表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氢,吸气;

用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构

加速电压:1 kV-10kV

标准注入电流:5 mA-100 mA (N2)

标准注入时间:30 min -3 h

可注入选项:N,C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸:<400 mmx400 mmx200 mm

辐射:在任意外部屏蔽点10cm处,辐射值<0.6μSv/h1

注入剂量范围:1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle气压:<5xE-6 mbar

设备尺寸:1.6x2.15x2.3m(标准型);2.15x2.15x2.3m(加大型)



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