MAKEWAY 低能电子显微镜/LEEM

LEEM是广泛应用于材料科学领域的高技术分析仪器，能集原位观测、超快及光电子成像于一体，即我们所称的“长眼睛的超级XPS"，能对薄膜以及二维材料、锂离子电池、钙钛矿太阳能电池材料等的表面电子行为进行实时激发、图像采集及定量分析，此外LEEM还可定量地解析各种薄膜材料在生长过程中所处的能带状态，因而可以对电子材料制备、使用和失效过程进行有效的表征，从而揭示电子材料的化学成分、能带及其价态与性能的作用机理。LEEM与成像功能和离子溅射刻蚀相结合，可以用于固体表面元素成分及价态的面分布和深度剖析；与离子蒸镀或其他分子束外延技术相结合，可以进行原位样品的制备及分析工作。当电子到样品的着陆能量较低时，会在样品表面发生衍射。对衍射斑点进行成像，可以获得LEED图像，得知表面晶向结构。同时可以与光阑配合，调控电子束在表面的位置与大小，进行微区LEED表征，这样就不仅可以对样品表面进行实空间成像，还可以得知样品各微观位置的晶向结构。这也是PEEM/LEEM系统一大优势。因此，LEEM在电子薄膜材料、半导体材料、纳米材料、能源、催化分析等方面具有不可替代的作用。

配置清单 ：

技术 参数 ：

1、 主分析腔真空 ≤2×10-10mbar ， 主分析腔和快速进样腔之间配有过渡腔，留有扩展接口，可用于后期与其它设备互联 ；

2、 * 高精度5轴马达 全自动 驱动样品台，XYZ和 2 个 Tilt 方向全部马达驱动

3、 高通量放电汞灯一个，用于PEEM成像

4、 高温成像样品温度可达 1 500 K ；

5、 * 磁偏转棱镜采用90°偏转，易于光路整体校正 ；

6、 * 冷场发射电子枪，电子束斑直径 200nm- 40μm ， 能量分布FWHM ≤0.3 eV ；

空间分辨率＜5nm（ LEEM 模式），＜ 10nm （ PEEM 模式）

像差校正： LEEM 空间分辨率优于 3nm

7、 能量分辨率<250 meV ；

8、 样品位置稳定性＜5nm，再现性＜ 500nm ；

9、 软件能操控能量狭缝位置，可快速实现能量过滤成像 ；