等离子去胶机是适用于硅基半导体及化合物半导体前后道的等离子体去胶设备，主要用于光刻胶的剥离或灰化，也可用于有机及无机残留物的去除，去除残胶以及等离子刻蚀的应用，清洗微电子元件、电路板上钻孔或铜线框架，提高黏附性等，它的设计紧凑，占地面积小，设备运行稳定可靠、易于维护、产能高。它的工艺简单、效率高，处理后无酸气废水等残留。
 

　　影响等离子去胶机处理效果的四大因素：
 

　　1.频率的调整：频率越高，氧越易电离构成等离子体。频率太高，以致电子振幅比其平均自由程还短，则电子与气体分子磕碰概率反而减少，使电离率降低。
 

　　2.功率的调整：关于必定量的气体，功率大，等离子体中的的活性粒子密度也大，去胶速度也快；但当功率增大到必定值，反响所能耗费的活性离子到达饱满，功率再大，去胶速度则无显着添加。由于功率大，基片温度高，所以应根据技术需求调理功率。
 

　　3.真空度的调整：恰当的真空度，可使电子运动的平均自由程变大，因而从电场取得的能量就大，有利电离。别的当氧气流量必守时，真空度越高，则氧的相对份额就大，发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高，活性粒子浓度反而会减小。
 

　　4.氧气流量的调整：氧气流量大，活性粒子密度大，去胶速率加速；但流量太大，则离子的复合概率增大，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。若反响室压力不变，流量增大，则被抽出的气体量也添加，其间尚没参与反响的活性粒子抽出量也随之添加，因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显着。
 

　　看完以上分享，相信大家对等离子去胶机的使用一定有了更深入的了解！