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磷化铟（InP）是由铟（In）和磷（P）组成的二元半导体，属于一组通常称为III-V半导体的材料。与硅和砷化镓等更常见的半导体相比，磷化铟具有*的电子速度，常用于制造高功率和高频率电子器件。
磷化铟晶圆加工
磷化铟具有与砷化镓GaAs和大多数III-V半导体几乎相同的面心立方晶体结构。磷化铟晶圆必须在器件制造之前准备好，所有III-V晶圆必须重叠以消除切片过程中发生的表面损伤。然后晶片被化学机械抛光/分层（CMP）用于终材料去除阶段，从而允许获得具有原子尺度的超平坦粗糙度的镜像表面。
Logitech系统通常可以生产1-3μmTTV的磷化铟晶圆。
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