在半导体制造中,光刻胶用于光刻工艺中以在基板上形成电路图案。制造过程主要包括以下步骤。
①清洗
涂敷光刻胶前,应che底清洗基材,保持表面清洁。
②光刻胶的涂敷
将光刻胶均匀地涂敷在基材上并干燥。此阶段光刻胶的厚度和均匀性对后续图形形成的精度有很大的影响。
③曝光 用紫外线照射光刻胶,在光刻胶上形成图案。
发射光的波长和强度直接影响图案的分辨率。
④显影用显影剂
对曝光后的光刻胶进行处理,除去不需要的部分。这使得设计的图案出现在板上。
⑤蚀刻
显影后,以光刻胶图案为掩模,通过蚀刻去除基板上不需要的部分。
⑥去除光刻胶
最后,蚀刻完成后,去除光刻胶,进入下一步。
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