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半导体晶圆缺陷检测主要采用以下几种方法：
光学检测
原理：利用高分辨率的光学显微镜来观察晶圆表面，以识别缺陷。光学检测的优势在于其速度快、成本低，适用于大规模生产。
技术细节：包括明场照明和暗场照明两种方式。明场照明通过直接观察晶圆表面反射的光来检测缺陷，而暗场照明则通过检测散射光来识别缺陷。此外，还有基于干涉测量技术的形貌检测方法，如斐索干涉仪，用于测量晶圆表面的形状变化。
应用：光学检测广泛应用于非图案化晶圆和图案化晶圆的表面缺陷检测。
电子束检测
原理：利用电子束扫描晶圆表面，通过检测电子束与晶圆相互作用产生的信号来识别缺陷。电子束检测的优势在于其高分辨率和高灵敏度，能够检测到非常小的缺陷。
局限性：电子束检测的速度较慢，成本较高，不适合大规模生产。但它在研发环境和工艺开发中具有重要的应用价值。
X射线检测
原理：利用X射线穿透晶圆，通过分析X射线的散射和吸收来识别缺陷。X射线检测的优势在于其能够检测到晶圆内部的缺陷。
局限性：X射线检测的设备成本较高，且对操作人员有一定的辐射风险。
原子力显微镜(AFM)检测
原理：利用探针与晶圆表面接触，通过测量探针的位移来获取晶圆表面的形貌信息。AFM检测的优势在于其能够提供原子级别的分辨率。
局限性：AFM检测的速度较慢，且对样品的表面条件有一定的要求。
随着半导体技术的不断发展，晶圆缺陷检测技术也在不断进步。现代晶圆缺陷检测设备结合了高分辨率的视觉检测、精确的自动对焦和先进的3D成像技术。例如，晶圆AOI(自动光学检测)设备通过高分辨率的光学成像设备和复杂的图像处理算法，能够快速、准确地检测出微小的表面缺陷。同时，3D成像技术如结构光照明、共焦显微镜和干涉显微镜等也被广泛应用于晶圆表面的三维结构信息获取和分析。
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