MBE 49 分子束外延薄膜沉积系统MBE

1 产品概述:

Riber 分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该域的先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。

2 设备用途：

1. 半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。

2. 光电子器件：在光电子域，Riber      MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。

3. 量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。

4. 超导金属：Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性，是制造超导器件和量子计算等沿技术的重要材料。

3 设备特点

高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有优势。

高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。

低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。

多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。

4 技术参数和特点：

• 衬底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米

• 外延生长：可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。

• 真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。

• 温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。
  

MBE 49 生产系统的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：

• 半导体器件：如晶体管、二管、激光器等。

• 光电子器件：如太阳能电池、LED、光电探测器等。

• 量子点：使用“量子点”，这是使用MBE创建和控制的中等体积的纯半导体合金。

• 超导金属：超导金属可以具有超精确的尺寸（原子尺度），电子在其中不受干扰地流动。