光刻胶 满足不同半导体制造工艺的需求

光刻胶 是一种在半导体制造和微细加工领域中至关重要的材料。它主要由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，并根据其响应紫外光的特性，可以分为正胶和负胶两种类型。正胶在曝光前对显影液不可溶，而曝光后变得可溶，能够产生高分辨率和良好对比度的图案。相比之下，负胶在曝光前可溶，曝光后不可溶，具有较好的粘附能力和抗刻蚀能力，但其分辨率相对较低。

光刻胶的种类繁多，每种光刻胶都有其特定的应用领域和特点。 托托科技提供了一系列光刻胶 满足不同半导体制造工艺的需求，主要用于精确地将电路图案转移到硅片上。

高分辨率光刻胶/S1800系列光刻胶， 这些正性光刻胶具有0.4-2.7um的胶厚范围，极限线宽可达0.5um，适用于小线宽双层胶lift-off工艺。 SPR955系列光刻胶， 这些正性光刻胶的胶厚范围为0.7-3.5um，极限线宽可达0.35um，粘附性好。 ROL-7133光刻胶， 国产负胶，适用于g/h/i-line光源，胶厚范围为2.2-4um，适用于lift-off工艺制造金属电极或导线。 SUN-lift 1303光刻胶， 国产负胶，同样适用于g/h/i-line光源，胶厚范围为2.2-4um，适用于lift-off工艺。 PMMA 光刻胶， 正性电子束光刻胶，高分辨率，适用于电子束光刻、二维材料转移、多层T-gate等工艺。 AZ系列光刻胶： AZ 5214E 光刻胶 ：正性薄胶，胶厚范围为1-1.6um，适用于双层胶lift-off工艺； AZ 4620 光刻胶 ：正性厚胶，胶厚范围为3-60um，适用于干法/湿法刻蚀、电镀等工艺； AZ MIR 701/703 光刻胶 ：高分辨率正胶，胶厚范围为0.7-1.4um，极限线宽0.5um； AZ nLOF 2000系列 光刻胶 ：包括AZ nLOF 2020、AZ nLOF 2035、AZ nLOF 2070等型号，耐高温Lift-off光刻胶。 SU-8光刻胶， 高深宽比负胶，胶厚范围为0.5-650um，适用于绝缘层、微流控等工艺。 SPR220系列光刻胶， 常用正胶，胶厚范围为1-10um，适用于干法/湿法刻蚀、电镀等工艺。 AZ 1500系列光刻胶， 高分辨率正胶，胶厚范围为0.7-1.4.3um，极限线宽0.5um。 底层胶、图形反转胶、电子束光刻胶、LOR光刻胶、PMGI SF光刻胶、Lift-off工艺光刻胶等，适用于不同的工艺需求，包括正性光刻胶、负性光刻胶、厚光刻胶、薄光刻胶、紫外光刻胶。

托托科技的光刻胶 满足不同半导体制造工艺的需求，从精细图案的制造到高深宽比的应用，都有相应的产品可以选择。