Table Top 3 Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE

Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE

1. 多样化工艺支持

支持等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、反应离子刻蚀（ RIE ）、化学气相沉积（ CVD ）和原子层沉积（ ALD ）等多种表面处理工艺。

使用射频（RF）或微波等离子体，适用于低压环境。

2. 紧凑型设计

系统整体尺寸约宽32英寸、深 22 英寸、高 24 英寸，适合桌面操作。

沉积腔室直径为8英寸，高度 6-10 英寸，可处理最大 4 英寸直径的基板。

3. 灵活的真空系统

配备干式/湿式机械泵（ 6-9 cfm ），可选涡轮分子泵（ 80-90 L/s ，用于 ICP 源），适应不同真空需求。

4. 高自动化控制

全计算机控制，内置PLASMICON控制软件，支持工艺配方自动化。

可编程RF发生器（ 120W-300W ）搭配自动阻抗匹配网络，确保稳定等离子体生成。

5. 基板处理能力

基板支架可选水冷或加热至300°C，适应不同材料需求。

支持双工艺气体线路和自动排气系统，提升工艺灵活性。

6. 实时监控与分析

集成光学光谱选项，用于工艺过程监控与调控。

10英寸触摸屏界面，提供实时数据监测、采集及用户友好交互。

7. 扩展性与安全

可选水冷系统和涡轮泵站，增强系统性能。

数据采集与存储功能，确保工艺可追溯性。

8. 应用领域

适用于半导体、纳米材料、光学涂层等领域的研发与小规模生产。

这些特点使Plasmionique系统成为多功能、高精度且用户友好的表面处理解决方案，兼顾科研与工业需求。

Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE